Samsung dice que puede aumentar la almacenamiento capacidad de almacenamiento de las unidades en estado sólido gracias a su tecnología V-NAND de 48 capas que permite meter 32GB en un solo chip, duplicando la densidad de los chips de memoria flash NAND 128Gb convencionales.
PCWorld | Ian Paul
La memoria está construida en 48 capas de bits en arreglos de células-multi-nivel (MLC, por sus siglas en inglés) de tres-bit, y ofrece 32GB de almacenamiento de datos en un solo chip. Duplica la densidad de los chips de memoria flash NAND 128GB convencionales y consume un 30 por ciento menos de energía que el chip anterior de Samsung, dijo la compañía el martes.
Más pequeño que la punta del dedo, la tercera generación de la memoria flash NAND-V de Samsung sigue al chip de segunda generación, que contaba con tres bits por celda y 32 capas de células apiladas verticalmente.
En contraste con NAND, la tecnología V-NAND de Samsung incorpora una estructura de 3D Charge Trash Flash (CTF) de 48 capas apiladas de matriz, como unos rascacielos en miniatura. Las matrices están conectadas eléctricamente a través de 1.8 billones de agujeros perforados a través de ellos. Cada chip tiene más de 85.3 billones de celdas, cada una de almacenamiento de tres bits de datos.
Samsung dijo que planea fabricar los chips para usuarios empresariales y de almacenamiento de datos, así como para promover la adopción de SSDs con capacidades en terabytes (unidades de estado sólido). En junio, Samsung anunció un SSD de 2TB en un factor de forma de 2.5 pulgadas para ordenadores portátiles y de sobremesa.
Los 850 Pro y 850 EVO SSD incluyendo la tecnología 3D V-NAND y duplicó la capacidad de sus predecesores, con 120GB, 250GB, 500GB, 1TB y 2TB modelos.