Samsung sube la tensión en el mercado del almacenamiento con la presentación de un nuevo disco en estado sólido de 1TB, basado en su última tecnología de memoria flash. Dirigido a equipos PC de gama alta, el nuevo disco SSD aprovecha la tecnología V- NAND de Samsung, de apilamiento vertical.
Samsung ha presentado su última innovación en el mundo del almacenamiento en estado sólido, un nuevo disco SSD para los PC de gama alta que incorpora la segunda generación de su tecnología de almacenamiento V-NAND, que permite el apilamiento vertical de los chips de almacenamiento.
La nueva unidad SSD de 1 TB podría incluso potenciar el almacenamiento SSD en portátiles, donde hasta ahora han alcanzado los 512GB. Los nuevos SSD ofrecen el doble de duración en escritura de datos y son un 20 por ciento más eficientes que los convencionales SSD, basados en NAND, que apilan los módulos de almacenamiento uno al lado del otro, según la propia Samsung
Aún no se han desvelado los precios de los nuevos SSD, pero el fabricante ha mejorado su tecnología V- NAND original, permitiendo ahora que sean apiladas 32 capas de almacenamiento NAND en un solo chip. La primera generación de V-NAND, anunciada en agosto del año pasado, permitía apilar hasta 24 capas de almacenamiento que transfieren datos mediante una interconexión propietaria.
El apilamiento de chips ya se ha probado con éxito tanto en chips de memoria como en dispositivos system-on-a-chip. Esta disposición de chips de almacenamiento en una estructura vertical se considera como una nueva forma de añadir cada vez mayor capacidad en dispositivos más pequeños y eficientes.
Francisco Carrasco, PCWorld en Español
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