Samsung Electronics Co. Ltd. anunció que ha construido un chip de memoria flash de 64Gbit.
El nuevo dispositivo de almacenamiento utiliza tecnología de procesamiento de 30 nanómetros y fue desarrollado usando una auto alianza tecnológico (SaDPT) de Samsung, dijeron oficiales de Samsung.
La compañía dijo que planea comenzar a fabricar dispositivos flash 64Gb NAND de 30 nanómetros durante el 2009. Samsung ya ha aplicado para más de 30 patentes para el nuevo chip de memoria flash, dijeron oficiales en un comunicado.
Al comenzar con un total de 16 dispositivos flash separados de 64Gb, los negocios pueden crear un dispositivo de almacenamiento flash de 128GB capaz de albergar más de 80 películas en DVD o 32.000 archivos de música en formato MP3, resalta Samsung.
Mientras algunos analistas han predicho una demanda lenta de NAND entre el 2007 y el 2008, Gartner Inc ha pronosticado que las ventas de flash NAND de 64Gb y otros dispositivos de almacenamiento de alta densidad podrían alcanzar los US$20 mil millones para el 2011.
Samsung dijo que su nueva tecnología de doble patrón crea un diseño de circuito más ampliamente espaciado del proceso meta en la primer transferencia del patrón, y llena el área vacía más cercana con su segundo patrón de transferencia en el chip.
Samsung dijo que también ha diseñado y construido un chip de almacenamiento flash NAND de 32Gb usando la misma tecnología que su nueva oferta de 64Gb.
-Por Brian Fonseca
Computerworld (US online)
FRAMINGHAM